Membrane & Water Treatment Solutions

 

 

 

  首次运行技术（微流量组件的温和激活与高精度稳定化） 3M Liqui-Cel EXF-2.5x8 脱气膜首次运行需 超温和冲洗、彻底排气、低参数缓慢激活 ，保护微型膜丝、激活精准脱气性能、避免初期精度漂移 3M 。首次运行前用去离子水 低压低速冲洗 ：压力 0.15–0.2MPa 、流量为设计值 20% （ 0.02–0.14m³/h ），持续冲洗 40 分钟，彻底去除膜丝表面保护剂、微量杂质与生产残留，避免影响微流量下气体扩散均匀性 3M 。冲洗后 精准排气 ：缓慢开启进水阀与顶部微型排气阀，水流缓慢充满壳程，排净内部所有空气（微流量下气堵影响极大），防止局部干化损伤膜丝或脱气效率不均；排气完成后关闭排气阀，逐步提升流量至设计值 30%3M 。 3M Liqui-Cel EXF-2.5x8 脱气膜首次运行采用 超低真空 + 微流量 模式：真空度暂设为 - 0.06~-0.07MPa ，稳定运行 3 小时，每 30 分钟监测进出口 O ₂ /CO ₂ 含量、压差、真空度，确认无异常后， 极缓慢 提升真空度至 - 0.075~-0.085MPa ，同时逐步提升流量至设计值 3M 。水温严格控制在 22–28℃ ，此区间微型膜丝活性最佳、脱气精度最稳定；水温波动 ≤±1℃ ，避免温度漂移影响气体扩散速率 3M 。首次运行 48 小时内每 1 小时记录参数，建立高精度初始台账，期间严禁任何大幅参数调节，防止膜丝应力损伤或精度漂移；稳定 48 小时、水质达标（ O ₂ ≤ 1ppb 、 CO ₂ ≤ 0.5ppm ）后，转入正常运行，完成高精度激活 3M 。

  3M Liqui-CeTM 气体转移膜｜半导体超纯水脱氧工况应用 半导体超纯水脱氧工段，去除超纯水中溶解氧（ O2 ），防止氧对半导体晶圆、电路的氧化腐蚀，保障超纯水水质符合半导体制程严苛要求， 3M Liqui-CeTM 气体转移膜 适配半导体超纯水低溶氧、高精度、连续化脱氧工况。核心聚丙烯中空纤维膜丝结构，疏水透气，不透水，通过膜两侧气体分压差，高效去除水中溶解氧，脱氧精度极高，可将水中溶解氧降至 ppb 级，满足半导体超纯水严苛标准。物理脱氧原理，无需添加化学药剂，无二次污染，不改变超纯水电阻率等关键指标，适配半导体无尘车间 24 小时连续化超纯水产能。膜组件结构紧凑，占地面积小，模块化设计，可灵活扩展处理流量，运行稳定，能耗低，免高频维保。原厂无尘防潮密封包装，附带半导体级脱氧精度专项检测报告，适配无尘车间入库质控核验。无尘车间专用恒温柜体密闭仓储，远离酸碱电子清洗剂、光刻辅剂分区隔离；防静电专用转运车点对点无尘配送，杜绝静电污染。模块化立式合规安装，适配超纯水系统专用机架，无需改造原有超纯水管路。全程低压稳态合规操作，严控水流量波动，实时监测出水溶解氧含量、进出口压差数据。按半导体车间季度维保计划定点批量更换膜组件，归档运维溯源台账。半导体超纯水脱氧实测， 3M Liqui-CeTM 气体转移膜 高效精准脱氧，保障超纯水水质，压降半导体制程不良率。