3M Liqui-CeTM 气体转移膜｜半导体超纯水脱氧工况应用

 

3M Liqui-CeTM 气体转移膜｜半导体超纯水脱氧工况应用

半导体超纯水脱氧工段，去除超纯水中溶解氧（O2），防止氧对半导体晶圆、电路的氧化腐蚀，保障超纯水水质符合半导体制程严苛要求，3M Liqui-CeTM 气体转移膜适配半导体超纯水低溶氧、高精度、连续化脱氧工况。核心聚丙烯中空纤维膜丝结构，疏水透气，不透水，通过膜两侧气体分压差，高效去除水中溶解氧，脱氧精度极高，可将水中溶解氧降至 ppb 级，满足半导体超纯水严苛标准。物理脱氧原理，无需添加化学药剂，无二次污染，不改变超纯水电阻率等关键指标，适配半导体无尘车间 24 小时连续化超纯水产能。膜组件结构紧凑，占地面积小，模块化设计，可灵活扩展处理流量，运行稳定，能耗低，免高频维保。原厂无尘防潮密封包装，附带半导体级脱氧精度专项检测报告，适配无尘车间入库质控核验。无尘车间专用恒温柜体密闭仓储，远离酸碱电子清洗剂、光刻辅剂分区隔离；防静电专用转运车点对点无尘配送，杜绝静电污染。模块化立式合规安装，适配超纯水系统专用机架，无需改造原有超纯水管路。全程低压稳态合规操作，严控水流量波动，实时监测出水溶解氧含量、进出口压差数据。按半导体车间季度维保计划定点批量更换膜组件，归档运维溯源台账。半导体超纯水脱氧实测，3M Liqui-CeTM 气体转移膜高效精准脱氧，保障超纯水水质，压降半导体制程不良率。